1.1真空鍍膜vacuumcoating：在處于真空下的基片上制取膜層的一種方法。 
  1.2基片substrate：膜層承受體。
  1.3試驗(yàn)基片testingsubstrate：在鍍膜開始、鍍膜過(guò)程中或鍍膜結(jié)束后用作測(cè)量和（或）試驗(yàn)的基片。
  1.4鍍膜材料coatingmaterial：用來(lái)制取膜層的原材料。
  1.5蒸發(fā)材料evaporationmaterial：在真空蒸發(fā)中用來(lái)蒸發(fā)的鍍膜材料。
  1.6濺射材料sputteringmaterial：有真空濺射中用來(lái)濺射的鍍膜材料。
  1.7膜層材料(膜層材質(zhì))filmmaterial：組成膜層的材料。
  1.8蒸發(fā)速率evaporationrate：在給定時(shí)間間隔內(nèi),蒸發(fā)出來(lái)的材料量,除以該時(shí)間間隔
  1.9濺射速率sputteringrate：在給定時(shí)間間隔內(nèi),濺射出來(lái)的材料量,除以該時(shí)間間隔。

  1.10沉積速率depositionrate：在給定時(shí)間間隔內(nèi),沉積在基片上的材料量,除以該時(shí)間間隔和基片表面積。
  1.11鍍膜角度coatingangle：入射到基片上的粒子方向與被鍍表面法線之間的夾角。
  2工藝
  2.1真空蒸膜vacuumevaporationcoating：使鍍膜材料蒸發(fā)的真空鍍膜過(guò)程。
  2.1.1同時(shí)蒸發(fā)simultaneousevaporation：用數(shù)個(gè)蒸發(fā)器把各種蒸發(fā)材料同時(shí)蒸鍍到基片上的真空蒸發(fā)。
  2.1.2蒸發(fā)場(chǎng)蒸發(fā)evaporationfieldevaporation：由蒸發(fā)場(chǎng)同時(shí)蒸發(fā)的材料到基片上進(jìn)行蒸鍍的真空蒸發(fā)(此工藝應(yīng)用于大面積蒸發(fā)以獲得到理想的膜厚分布)。
  2.1.3反應(yīng)性真空蒸發(fā)reactivevacuumevaporation：通過(guò)與氣體反應(yīng)獲得理想化學(xué)成分的膜層材料的真空蒸發(fā)。
  2.1.4蒸發(fā)器中的反應(yīng)性真空蒸發(fā)reactivevacuumevaporationinevaporator：與蒸發(fā)器中各種蒸發(fā)材料反應(yīng),而獲得理想化學(xué)成分膜層材料的真空蒸發(fā)。
  2.1.5直接加熱的蒸發(fā)directheatingevaporation：蒸發(fā)材料蒸發(fā)所必須的熱量是對(duì)蒸發(fā)材料(在坩堝中或不用坩堝)本身加熱的蒸發(fā)。
  2.1.6感應(yīng)加熱蒸發(fā)inducedheatingevaporation：蒸發(fā)材料通過(guò)感應(yīng)渦流加熱的蒸發(fā)。
  2.1.7電子束蒸發(fā)electronbeamevaporation：通過(guò)電子轟擊使蒸發(fā)材料加熱的蒸發(fā)