一、鍍膜技術可區(qū)分為那幾類?
 
　　可區(qū)分為：(1)真空蒸鍍(2)電鍍(3)化學反應(4)熱處理(5)物理或機械處理
 
　　二、常用的真空泵浦有那幾種?適用的抽氣范圍為何?
 
　　真空泵浦可分：
 
　　(1)機械幫浦(2)擴散泵浦(3)渦輪泵浦(4)吸附泵浦(5)吸著泵浦
 
　　真空泵浦抽氣范圍：
 
　　泵   浦    抽 氣 范 圍
 
　　機械泵浦   10-1~10-4 毫巴
 
　　擴散泵浦   10-3~10-6 毫巴
 
　　渦輪泵浦   10-3~10-9 毫巴
 
　　吸附泵浦   10-3~10-4 毫巴
 
　　吸著泵浦   10-4~10-10毫巴
 
　　三、電漿技術在表面技術上的應用有那些?
 
　　1)濺漿沉積：濺鍍是利用高速的離子撞擊固體靶材，使表面分子濺離并射到基材鍍成一層薄膜，濺射離子的起始動能約在100eV。常用的電漿氣體為氬氣，質(zhì)量適當而且沒有化學反應。
 
　　(2)電漿輔助化沉積：氣相化學沉積的化學反應是在高溫基材上進行，如此才能使氣體前置物獲得足夠的能量反應。
 
　　(3)電漿聚合：聚合物或塑料薄膜最簡單的披覆技術就是將其溶劑中，然后涂布于基板上。電漿聚合涂布法系將分子單體激發(fā)成電漿，經(jīng)化學反應后形成一致密的聚合體并披覆在基板上，由于基材受到電漿的撞擊，其附著性也很強。
 
　　(4)電漿蝕刻：濕式堿性蝕刻，這是最簡單而且便宜的方法，它的缺點是堿性蝕刻具晶面方向性，而且會產(chǎn)生下蝕的問題。
 
　　(5)電漿噴覆：在高溫下運轉(zhuǎn)的金屬組件須要有陶瓷物披覆，以防止高溫腐蝕的發(fā)生。
 
　　四、蒸鍍的加熱方式包括那幾種?各具有何特點?
 
　　加熱方式分為：(1)電阻加熱(2)感應加熱(3)電子束加熱(4)雷射加熱(5)電弧加熱 ?
 
　　各具有的特點：
 
　　(1)電阻加熱：這是一種最簡單的加熱方法，設備便宜、操作容易是其優(yōu)點。
 
　　(2)感應加熱：加熱效率佳，升溫快速，并可加熱大容量。
 
　　(3)電子束加熱：這種加熱方法是把數(shù)千eV之高能量電子，經(jīng)磁場聚焦，直接撞擊蒸發(fā)物加熱，溫度可以高達30000C。而它的電子的來源有二：高溫金屬產(chǎn)生的熱電子，另一種電子的來源為中空陰極放電。
 
　　(4)雷射加熱：激光束可經(jīng)由光學聚焦在蒸鍍源上，產(chǎn)生局部瞬間高溫使其逃離。最早使用的是脈沖紅寶雷射，而后發(fā)展出紫外線準分子雷射。紫外線的優(yōu)點是每一光子的能量遠比紅外線高，因此準分子雷射的功率密度甚高，用以加熱蒸鍍的功能和電子束類似。常被用來披覆成份復雜的化合物，鍍膜的品質(zhì)甚佳。
 

　　它和電子束加熱或濺射的過程有基本上的差異，準分子雷射脫離的是微細的顆粒，后者則是以分子形式脫離。
 
　　(5)電弧加熱：陰極電弧沉積的優(yōu)點為：
 
　　(1)蒸鍍速率快，可達每秒1.0微米
 
　　(2)基板不須加熱
 
　　(3)可鍍高溫金屬及陶瓷化合物
 
　　(4)鍍膜密高且附著力佳
 
　　五、真空蒸鍍可應用在那些產(chǎn)業(yè)?
 
　　主要產(chǎn)業(yè)大多應用于裝飾、光學、電性、機械及防蝕方面等，現(xiàn)就比較常見者分述如下：1.鏡片的抗反射鍍膜(MgO、MgF2、SiO2等)，鏡片置于半球支頂，一次可鍍上百片以上。
 
　　2.金屬、合金或化合物鍍膜，應用于微電子當導線、電阻、光電功能等用途。_
 
　　3.鍍鋁或鉭于絕緣物當電容之電極。
 
　　4.特殊合金鍍膜MCrAlY具有耐熱性抗氧化性，耐溫達1100OC，可應用須耐高溫環(huán)境的工件，如高速切削及成形加工、渦輪引擎葉片等。
 
　　5.鍍金屬于玻璃板供建筑物之裝飾及防紫外線。
 
　　6.離子蒸鍍鍍鋁，系以負高電壓加在被鍍件上，再把鋁加熱蒸發(fā)，其蒸氣經(jīng)由電子撞擊離子化，然后鍍到鋼板上。
 
　　7.鍍鋁于膠膜，可供裝飾或標簽，且鍍膜具有金屬感等。最大的用途就是包裝，可以防潮、防空氣等的滲入。
 
　　8.機械零件或刀磨具鍍硬膜(TiC、TiN、Al2O3)這些超硬薄膜不但硬度高，可有效提高耐磨性，而且所需厚度剪小，能符合工件高精度化的要求。
 
　　9.特殊合金薄片之制造。
 
　　10.鍍多層膜于鋼板，改善其性能。
 
　　11.鍍硅于CdS太陽電池，可增加其效率。
 
　　12.奈米粉末之制造，鍍于冷基板上，使其不附著。
 
　　六、TiN氮化鈦鍍膜具有那些特點?
 
　　有以下的優(yōu)點：
 
　　(1)抗磨損
 
　　(2)具亮麗的外觀
 
　　(3)具安全性，可使用于外科及食品用具。
 
　　(4)具潤滑作用，可減少磨擦。
 
　　(5)具防蝕功能
 
　　(6)可承受高溫
 
　　七、CVD化學氣相沉積法反應步驟可區(qū)分為那五個步驟?
 
　　(1)不同成份氣相前置反應物由主流氣體進來，以擴散機制傳輸基板表面。理想狀況下，前置物在基板上的濃度是零，亦即在基板上立刻反應，實際上并非如此。
 
　　(2)前置反應物吸附在基板上，此時仍容許該前置物在基板上進行有限程度的表面橫向移動。
 
　　(3)前置物在基板上進行化學反應，產(chǎn)生沉積物的化學分子，然后經(jīng)積聚成核、遷移、成長等步驟，最后聯(lián)合一連續(xù)的膜。
 
　　(4)把多余的前置物以及未成核的氣體生成物去吸附。
 
　　(5)被去吸附的氣體，以擴散機制傳輸?shù)街髁鳉庀?，并?jīng)傳送排出。
 
　　八、電漿輔助VCD系統(tǒng)具有何特色?
 
　　一般CVD均是在高溫的基板下產(chǎn)生沉積反應，如果以電漿激發(fā)氣體，即所謂的電漿輔助CVD(PlasmaenhancedCVD簡稱PECVD)，則基板溫度可以大幅降低。然而一般薄層的光電鍍膜或次微米線條，相當脆弱，容易受到電漿離子撞擊的傷害，故PECVD并不適宜。
 
　　九、CVD制程具有那些優(yōu)缺點?
 
　　優(yōu)點：
 
　　(1)真空度要求不高，甚至不須真空，如熱噴覆。
 
　　(2)高沉積速率，APCVD可以達到1μm/min。
 
　　(3)相對于PVD，化學量論組成或合金的鍍膜比較容易達成。
 
　　(4)鍍膜的成份多樣化，包括金屬、非金屬、氧化物、氮化物、碳化物、半導體、光電材料、聚合物以及鉆石薄膜等。
 
　　(5)可以在復雜形狀的基材鍍膜，甚至滲入多孔的陶瓷。
 
　　(6)厚度的均勻性良好，LPCVD甚至可同時鍍數(shù)十芯片。
 
　　缺點：
 
　　(1)熱力學及化學反應機制不易了解或不甚了解。
 
　　(2)須在高溫度下進行，有些基材不能承受，甚至和鍍膜起作用。
 
　　(3)反應氣體可能具腐蝕性、毒性或爆炸性，處理需格外小心。
 
　　(4)反應生成物可能殘余在鍍膜，成為雜質(zhì)。
 
　　(5)基材的遮蔽很難。
 
　　十、鉆石材料具有那些優(yōu)點?可應用在那些產(chǎn)業(yè)上?
 
　　優(yōu)點：硬度高、耐磨性高、低熱脹率、散熱能力良好、防蝕能力加>>>等等
 
　　可應用在：聲學產(chǎn)品、消費產(chǎn)品、生醫(yī)產(chǎn)品、光學產(chǎn)品、超級磨料、航天產(chǎn)品、鉆石制造、化學產(chǎn)品、電子產(chǎn)品、機械產(chǎn)品。