1.1真空鍍膜vacuumcoating：在處于真空下的基片上制取膜層的一種方法。

    1.2基片substrate：膜層承受體。

    1.3試驗(yàn)基片testingsubstrate：在鍍膜開始、鍍膜過程中或鍍膜結(jié)束后用作測量和（或）試驗(yàn)的基片。

    1.4鍍膜材料coatingmaterial：用來制取膜層的原材料。

    1.5蒸發(fā)材料evaporationmaterial：在真空蒸發(fā)中用來蒸發(fā)的鍍膜材料。

    1.6濺射材料sputteringmaterial：有真空濺射中用來濺射的鍍膜材料。

    1.7膜層材料(膜層材質(zhì))filmmaterial：組成膜層的材料。

    1.8蒸發(fā)速率evaporationrate：在給定時間間隔內(nèi),蒸發(fā)出來的材料量,除以該時間間隔

    1.9濺射速率sputteringrate：在給定時間間隔內(nèi),濺射出來的材料量,除以該時間間隔。

    1.10沉積速率depositionrate：在給定時間間隔內(nèi),沉積在基片上的材料量,除以該時間間隔和基片表面積。

    1.11鍍膜角度coatingangle：入射到基片上的粒子方向與被鍍表面法線之間的夾角。

    2工藝

    2.1真空蒸膜vacuumevaporationcoating：使鍍膜材料蒸發(fā)的真空鍍膜過程。

    2.1.1同時蒸發(fā)simultaneousevaporation：用數(shù)個蒸發(fā)器把各種蒸發(fā)材料同時蒸鍍到基片上的真空蒸發(fā)。

    2.1.2蒸發(fā)場蒸發(fā)evaporationfieldevaporation：由蒸發(fā)場同時蒸發(fā)的材料到基片上進(jìn)行蒸鍍的真空蒸發(fā)(此工藝應(yīng)用于大面積蒸發(fā)以獲得到理想的膜厚分布)。

    2.1.3反應(yīng)性真空蒸發(fā)reactivevacuumevaporation：通過與氣體反應(yīng)獲得理想化學(xué)成分的膜層材料的真空蒸發(fā)。

    2.1.4蒸發(fā)器中的反應(yīng)性真空蒸發(fā)reactivevacuumevaporationinevaporator：與蒸發(fā)器中各種蒸發(fā)材料反應(yīng),而獲得理想化學(xué)成分膜層材料的真空蒸發(fā)。

    2.1.5直接加熱的蒸發(fā)directheatingevaporation：蒸發(fā)材料蒸發(fā)所必須的熱量是對蒸發(fā)材料(在坩堝中或不用坩堝)本身加熱的蒸發(fā)。

    2.1.6感應(yīng)加熱蒸發(fā)inducedheatingevaporation：蒸發(fā)材料通過感應(yīng)渦流加熱的蒸發(fā)。

    2.1.7電子束蒸發(fā)electronbeamevaporation：通過電子轟擊使蒸發(fā)材料加熱的蒸發(fā)。